# A última batalha traseira do BC-TOPCon: Manter > Como as células TOPCon de contato traseiro de próxima geração ultrapassam 27% ao congelar o SiOx inferior, zonear a camada intermediária entre AlOx/SiOx e SiOx puro ![A última batalha traseira do BC-TOPCon: Manter](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260804/2026080419779051.webp) - ** Jerry - ** 2026-08-04 - ** 233 Visualizações - ** [Blog](./Blog.html) ## A última batalha traseira do BC-TOPCon: Manter **Resposta rápida:** O lado traseiro é o último campo de batalha entre as arquiteturas de contato traseiro e TOPCon, e a escolha se resume a quanta área de contato abrir mão para a passivação. As estruturas discutidas combinam um design de dedos n frontais com um contato traseiro total e uma pilha de camada dupla, alcançando uma eficiência relatada de 26,34%, contra uma estrutura HIBC na classe de 28%. As dimensões da pilha traseira são pequenas: camadas em torno de 0,3 nm, 1,5 nm e 4 nm, com uma etapa de processo traseiro próxima a 1050 °C. Cada uma dessas camadas troca resistência de contato por recombinação, e o valor de 13% na análise representa uma parcela da perda atribuída à parte traseira. Para um fabricante, a questão prática é qual arquitetura traseira pode ser mantida em produção ao longo dos turnos, não qual atinge o valor mais alto em um artigo. Fabricação de Módulos Fotovoltaicos · por Jerry, Ooitech ## Introdução do Produto "Velho Zhang, aquele artigo de 26,34% de dedo-n frontal mais contato total traseiro-p de dupla camada — o próximo passo é fazer o dedo-p traseiro também em forma de dedo, e isso é BC de verdade. Mas sob o dedo-p, aquela camada intermediária de SiOx: ficamos com o SiOx puro do 26,66, ou trocamos por AlOx/SiOx para pegar emprestado o efeito de campo?" Essa pergunta surgiu esta manhã, logo depois que eu joguei o artigo de 26,34% no grupo de chat da linha de produção, e o pessoal do projeto BC começou a correr atrás disso. Em verdadeiros BC-[TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html), o SiOx inferior — aquele que forma os pinholes passivantes — não pode ser tocado. Mas a camada "SiOx intermediária", cujo trabalho original era bloquear Ag e afinar a camada de parada, pode ser ajustada por zona assim que os dedos-p se tornarem localizados. Regiões sem contato vão para AlOx/SiOx para aproveitar o efeito de campo. Regiões de contato, logo abaixo da pasta, mantêm SiOx puro para impedir que a difusão de B exploda. Essa única troca é o maior pedaço que você pode ganhar no verso dentro do salto absoluto de 1,3% de 26,34% para 27,6%+. ## Parâmetros Técnicos ### Primeiro, os dois benchmarks BC de 27%+ na mesa Zheng, Z. et al. Maximizing carrier extraction in hybrid back-contact silicon solar cells. Nature (2026). [https://doi.org/10.1038/s41586-026-](https://doi.org/10.1038/s41586-026-) (Universidade de Tecnologia de Pequim + Golden Stone Energy, certificado 27,62%) LONGi HIBC, 28,13%, ISFH CalTeC abr 2026 (LONGi HIBC 2.0, rota HPBC, recorde recém-estabelecido). Construído sobre HIBC 1.0 (Wang G. et al., Nature 647, 369–374, 2025, DOI:10.1038/s41586-025-09681-w, 27,81%) iterado com iPET + LIC; artigo pendente, certificação no site oficial da LONGi. | Métrica | JinKo 26,66% (n-TOPCon bifacial) | BJUT + Golden Stone 27,62% (HBC) | LONGi HIBC 28,13% | | --- | --- | --- | --- | | Estrutura | Boro frontal + n-TOPCon traseiro contato total dupla camada | a-SiOx frontal + p/n interdigitado traseiro (HBC) | HJT-P frontal + TOPCon-N traseiro em dedo (HIBC) | | Voc (mV) | 744.6 | 740 | — | | Jsc (mA/cm²) | ~41,2 est. | 42.54 | — | | FF (%) | 85.57 | 87.73 | — | | Movimento-chave | Dupla camada SiOx/poli + bloqueio de Ag | a-Si dopado com B em gradiente + passivação frontal de a-SiOx dopado com O | Passivação híbrida bipolar (lado P a-Si:H + lado N poli) | Observe aquele FF de 87,73%. 26,66% só chega a 85,57%. Essa diferença absoluta de 2% no FF não é algo que uma "dupla camada traseira" sozinha consiga compensar. Ela vem da otimização da geometria dos dedos traseiros, da ausência de sombreamento da grade na superfície frontal e de empurrar a recombinação de contato para o nível de 400-500 fA/cm² (mais abaixo). ## Vantagens Técnicas ### Como a dupla camada SiOx/poli muda quando os dedos-p se tornam localizados Tanto as "duplas camadas" de 26,66% quanto de 26,34% são traseiras de contato total — o poli cobre toda a superfície traseira, o SiOx intermediário corre como uma folha contínua. Assim que o BC real faz tanto o n traseiro quanto o p traseiro em forma de dedo, a pilha passa de "cobertor" para "interdigitada", e essas duas lógicas precisam ser redivididas. **SiOx inferior (~1,x nm, o local do túnel) — nunca se move.** - Este é o território daquele artigo da Das Solar sobre passivação por pinholes. Ele forma pinholes portadores de oxigênio da classe de 10¹² cm⁻², e empurrar o J₀ para 2-4 fA/cm² depende disso. - No BC, o SiOx inferior sob o dedo-p enfrenta poli dopado com B, não P. O B fica com Dit mais alto na interface Si/SiO₂, e a segregação de B arruína a estequiometria do SiOx. Então o SiOx inferior do lado do dedo-p na verdade quer ser ligeiramente mais espesso que o do lado do dedo-n (+0,2-0,3 nm), com um pré-recozimento a 1050°C para ativar o B e levar a cristalinidade a 98% (a linha de base que o artigo de 26,34% fornece). **SiOx intermediário (originalmente 1,5 nm, o local de bloqueio de Ag) — no BC, o material pode ser zoneado.** Esta é a variável central. O intermediário em 26,66/26,34 é SiO₂ térmico puro, de função única (bloquear Ag + afinar a camada de parada). Sob a estrutura BC interdigitada, a região do dedo-p enfrenta dois novos pontos de dor que o contato total nunca precisou enfrentar. **Ponto de dor A**: O lado p-TOPCon é naturalmente fraco em efeito de campo. A carga fixa do B na interface Si/SiO₂ é positiva (oposta ao lado n+). O SiOx puro não fornece passivação por efeito de campo no lado p, então você precisa pegar emprestada carga negativa de uma pilha externa de AlOx. **Ponto de dor B**: A recombinação de contato metálico J₀,metal sob o dedo-p é o teto de eficiência do BC. O BC sem prata hoje fica em J₀,metal de contato Al ~2400-2500 fA/cm², correspondendo a ~25,9% de eficiência. Para tocar o nível de 26,8% do sistema Ag, você precisa pressionar J₀,metal abaixo de 400-500 fA/cm². Um intermediário de SiOx puro não consegue lidar com A. Trocar tudo por AlOx/SiOx pisa em outra mina terrestre. ### AlOx/SiOx como camada de túnel é uma armadilha, mas como camada intermediária pode ser um doce Dois cenários se misturam na literatura e devem ser mantidos separados. **Cenário 1: AlOx substitui diretamente o SiOx inferior como camada de túnel.** O trabalho de Kaur (Solar Energy Materials 2021) é o conto de advertência aqui: - AlOx e duplas camadas de AlOx/SiOx como camadas de túnel passivam pior que o SiOx puro. - Mecanismo: AlOx/SiOx aumenta marcadamente a difusão de B e suprime a difusão de P. O B se acumula em um "reservatório" na região de AlOx e então empurra para o c-Si — uma explosão dupla de recombinação Auger mais defeitos de par B-O. - Além disso, o Al difunde do AlOx para o c-Si formando níveis profundos, então a recombinação SRH também sobe. Então o SiOx inferior absolutamente não pode ser trocado por AlOx — essa é a razão fundamental pela qual as linhas de base 26,66/26,34 não se movem, e é exatamente por isso que a LONGi HIBC roda "lado P com a-Si:H (lógica HJT), lado N com poli (lógica TOPCon)". O lado P simplesmente contorna a configuração SiOx/poli e segue a rota amorfa HJT + hidrogênio para evitar a armadilha B-SiOx. **Cenário 2: AlOx/SiOx fica na posição "intermediária" (sem tunelamento, apenas efeito de campo + bloqueio de Ag).** Esta é a jogada exclusiva do BC: - SiOx inferior (1,x nm) permanece SiO₂ térmico puro, forma os pinholes passivantes. - Acima do poli interno (p+, alta cristalinidade), abaixo do poli externo (p++, fortemente dopado para metalização) fica o meio de SiOx puro (1-1,5 nm). - Em regiões sem contato (entre os dedos, e dentro dos dedos longe da pasta), o meio troca para uma pilha ultrafina de AlOx (2-4 nm) / SiOx (1 nm). A carga fixa negativa do AlOx ~10¹²-10¹³ cm⁻² confere ao dedo p um efeito de campo e reduz o Dit do lado p-TOPCon. - Em regiões de contato (sob a abertura da pasta), o meio mantém SiOx puro — para impedir que o AlOx deixe a difusão de B explodir durante o firing (a pasta Ag faz firing a 700-800°C, e o AlOx fica instável acima de 550°C conforme o Si-H se dissocia). Ainda não há dados públicos de seção transversal de BC sobre esse "meio zoneado", mas a cadeia lógica se sustenta. a-SiOx:H/AlOx:H a 6nm/12nm na passivação da superfície frontal tipo n já atinge τeff de 5,1 ms sem recozimento, o que indica que o AlOx não tocando diretamente o c-Si (com a-SiOx ou SiOx no meio) permite que o efeito de campo e a passivação química cooperem. A região sem contato do dedo p do BC é exatamente esse caso: o SiOx inferior separa o c-Si, o AlOx/SiOx do meio separa o poli interno, o AlOx nunca toca o c-Si, e o caminho de difusão de B é bloqueado por duas barreiras, o SiOx inferior mais o poli interno — muito mais seguro do que o AlOx como camada de túnel direta. ## Aplicação do Produto ### Três movimentos de suporte para a localização do dedo p (o incremento de 26,34 para 27,6) | Movimento | Linha de base 26,34% | Incremento de localização do dedo p do BC | Gargalo abordado | | --- | --- | --- | --- | | SiOx inferior | Contato total 1,8 nm (lado p-TOPCon) | 1,8→2,0 nm sob o dedo p (anti-fixação de B), 1,3-1,5 nm sob o dedo n | A segregação de B arruína o SiOx | | SiOx do meio | SiOx puro 1 nm (in-situ) | Zoneado: sem contato AlOx(3nm)/SiOx(1nm), contato SiOx puro 1 nm | Efeito de campo fraco do lado p | | Poli externo | 90 nm p++, pasta de metal alcalino | Abertura por LCO a laser sob o dedo p, abre apenas AlOx/SiNx sem prejudicar poli/SiOx (iVoc verificado estável) | J₀,metal 2400→400 | | Recozimento | Pré-recozimento a 1050°C, 98% de cristalinidade | O mesmo, mas a janela de co-recozimento dos dedos p/n precisa de compromisso — lado P 880-920, lado B 1050, divisão em ~950-980°C recozimento longo | Conflito de orçamento térmico | | Metalização | Pasta Ag de metal alcalino (4% em peso de Na₂O/K₂O) | Contato Al sem prata ou pasta mista Ag-Al, firing do dedo p a 700°C J₀,metal ~2400, dedo n ~2500 mesma condição | Sem prata + pressionar J₀,metal para 400 | Esses dados de BC sem prata importam: após o LCO (abertura de contato a laser) o iVoc quase não cai e o Raman não mostra sinal amorfo, provando que "abrir a janela sem quebrar a passivação poli/SiOx" é viável — essa é a base de processo para "manter SiOx puro no meio nas regiões de contato + janela de pasta LCO" sob o dedo p do BC. Mas J₀,metal 2400 fA/cm² só mapeia para 25,9% de eficiência. Essa lacuna absoluta de 0,9% para os 26,8% do sistema Ag é inteiramente consumida pela recombinação de contato. O gargalo do próximo salto não é a camada de passivação, é a metalização. ### Então pelo que o verso realmente luta nesse último salto para 27% Alinhe todas as quatro gerações — Das 25,4 → JinKo 26,66 → JinKo 26,34 → Golden Stone 27,62 / LONGi 28,13: - Geração 25,4%: o verso lutava pela "personalidade de pinhole" do SiOx inferior (passivação vs recombinação), oxidação em duas etapas por LPCVD crescendo pinholes passivantes de classe 10¹². - Geração 26,66%: o verso lutava pela dupla camada SiOx/poli + bloqueio de Ag por SiOx do meio + afinamento a laser, resolvendo a degradação da metalização e a absorção parasita. - Geração 26,34%: p-TOPCon traseiro de contato total em dupla camada + pasta de metal alcalino + pré-recozimento a 1050°C, atacando a segregação de B do lado p e a metalização. - Geração 27,6%+ (BC): p/n traseiros interdigitados, SiOx inferior ajustado pela polaridade (lado p 2,0 / lado n 1,3) + meio zoneado (sem contato AlOx/SiOx para efeito de campo, contato SiOx puro) + abertura por LCO sem prejudicar a passivação + metalização sem prata/baixo Ag pressionando J₀,metal para 400. Uma chamada contraintuitiva: acima de 27%, no "combo de efeito de campo + dupla camada" do verso, o AlOx não pode ir no fundo (o local de túnel faz a difusão de B explodir), apenas na região do meio sem contato. Essa é a maior diferença em relação ao "AlOx diretamente sobre c-Si para emprestar carga negativa" da era PERC. A estrutura BC por acaso lhe dá o espaço para um "meio zoneado" (a geometria interdigitada traz seu próprio zoneamento). O TOPCon de contato total simplesmente não consegue jogar isso. Isso também explica por que 26,66/26,34 nunca colocaram AlOx no meio — são de contato total, o meio tem que servir tanto de camada de parada + bloqueio de Ag, e SiOx puro é mais seguro. ### O que uma linha piloto de BC pode tentar primeiro 1. Mover o SiOx inferior do dedo p de 1,5 para 1,8-2,0 nm — adicionar 30-50% de tempo de O₂ a 620°C por LPCVD, primeiro olhar o perfil ECV de segregação de B. 2. Rodar amostras de meio com "duas escolhas": Grupo A SiOx puro 1,5 nm (linha de base 26,66), Grupo B sem contato ALD AlOx 3nm / SiOx 1nm mais contato SiOx puro 1,5 nm (acertar o alinhamento da janela de LCO). 3. Ajustar o laser de LCO para acomodar o AlOx — o AlOx é mais sensível a 355 nm do que o SiOx, então a receita de fóton de 4,8 eV em UV profundo "abrir apenas SiNx/AlOx sem prejudicar poli/SiOx" precisa ser recalibrada para doses do lado B e do lado N separadamente. 4. Trocar a metalização para pasta mista Ag-Al ou Al total, travar o firing em 700°C — a linha de base n/p J₀,metal 2400-2500 precisa de frita de vidro + atmosfera de firing + densidade do padrão de contato todos ajustados juntos para chegar a 400-500. ### Questões em aberto para a equipe de metalização do BC Viabilidade de fabricação do "meio zoneado" sob o dedo p — o ALD AlOx apenas na região sem contato precisa de máscara, ou você deposita em face total e deixa o LCO varrer o AlOx da região de contato? O primeiro adiciona uma etapa de máscara (o BC já é complexo o suficiente), o segundo arrisca o laser de LCO varrer a pilha AlOx/SiOx e prejudicar os pinholes passivantes do SiOx inferior (apenas varrer AlOx/SiNx foi verificado como não danoso ao poli/SiOx; a pilha AlOx/SiOx não foi). Além disso, os 27,62% da Golden Stone usaram "a-Si dopado com B em gradiente + passivação frontal de a-SiOx dopado com O", com o lado P na lógica HJT em vez de TOPCon. O HIBC (lado P HJT + lado N TOPCon) atingirá 28% antes do BC de TOPCon total (poli/SiOx tanto no dedo p quanto no dedo n)? A linha de 28,13% da LONGi parece indicar que o HIBC venceu, mas a simplicidade de dispositivo do BC de TOPCon total (poli nos lados N e P, recozimento compartilhado) pode recuperar vantagem no custo de longo prazo. Essas duas sub-rotas de BC colidirão a seguir sobre o trade-off "teto de passivação vs complexidade de processo". Quatro artigos consecutivos (Das 25,4 → JinKo 26,66 → JinKo 26,34 → Golden Stone 27,62 / LONGi 28,13), e a lógica de três gerações da face traseira do TOPCon de 25%→26%→27%+ está completa: pinholes passivantes → bloco de Ag de camada dupla + afinamento → interdigitação BC + zona intermediária + combinação de efeito de campo. ## Visão da Ooitech A ideia do meio zoneado é engenhosa, mas, honestamente, a batalha mais difícil está na linha, não na prancheta. Reduzir o J₀,metal de 2400 para perto de 400 significa que a dosagem do laser LCO, a frita da pasta e o perfil de queima têm de manter a tolerância em cada finger, wafer após wafer — e isso é tanto um problema de repetibilidade da linha de módulos como de física da célula. Quer a indústria chegue primeiro ao BC full-TOPCon ou ao HIBC, a janela de processo estreita-se de qualquer forma, pelo que a metrologia e o controlo térmico na pilha do lado posterior se tornam os verdadeiros guardiões. Quem está a construir ou a atualizar linhas de produção de módulos pode aprender muito sobre estes compromissos de queima e laminação no canal de YouTube da Ooitech em [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech). ## Leitura adicional e dados de contexto Material de referência público sobre este tema, publicado pelas organizações que mantêm o roteiro tecnológico e os dados de mercado do setor: - [VDMA — Roteiro Tecnológico Internacional para Fotovoltaica (ITRPV)](https://www.vdma.org/international-technology-roadmap-photovoltaic) - [Fraunhofer ISE — Relatório de Fotovoltaica](https://www.ise.fraunhofer.de/en/publications/studies/photovoltaics-report.html) - [pv magazine — notícias e cobertura técnica da indústria fotovoltaica global](https://www.pv-magazine.com/) --- ##### Etiquetas : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Solicitar Um Orçamento Todos os carregamentos são seguros e confidenciais. ## Entregamos experiência em que pode confiar o nosso serviço Equipamento Direto da Fábrica. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Vantagens Económicas Entregamos valor excecional, maximizando resultados enquanto otimizamos orçamentos para os clientes. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### A Nossa Equipa Experiente Os nossos profissionais qualificados especializam-se em soluções inovadoras e estratégias personalizadas. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### Mais de 15 Anos de Experiência no Setor Experiência profunda garante resultados fiáveis, atentos às tendências e comprovados para o sucesso. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## O Que Os Nossos Clientes Dizem sobre nós Os testemunhos dos clientes elogiam a nossa profunda compreensão dos seus desafios, o que conduz a soluções inovadoras e a um forte ROI. Colaborações de longo prazo—algumas com mais de uma década—demonstram a sua confiança e satisfação. As suas histórias de sucesso impulsionam-nos a superar continuamente as expectativas. [Saber Mais **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) obrigado pelo apoio profissional da ooitech e pelo serviço pós-venda atempado. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra De África ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Obrigado à Ooitech por fornecer o equipamento de produção totalmente automatizado—a vossa instalação e serviço pós-venda têm sido excelentes. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Amjad ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Um homem com uma grande alma. Muito obrigado pela sua visita Sr. Wu. Muito obrigado pelos serviços prestados na instalação de equipamentos e na formação dos meus alunos. A pessoa mais gentil e profissional na sua área ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Instituto Politécnico de Jizzakh ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Obrigado à Ooitech por fornecer equipamento experimental de células solares BC altamente adequado. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Muito obrigado novamente pela enorme ajuda na melhoria e reparação da fábrica e também por ensinar os trabalhadores a utilizar as máquinas ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Mark BIPV Filipinas ## Os Nossos Produtos Mais Recentes ![Moldura de Alumínio para Painel Solar — Anodizada, G1/M6/M10/M12](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032713454036.jpg.webp) - [** Rachael](./Solar-Panel-Aluminum-Frame-Manufacturing-Equipment-Professional-PV-Module-Frame-Production-Solutions.html) - [** 36559](./Solar-Panel-Aluminum-Frame-Manufacturing-Equipment-Professional-PV-Module-Frame-Production-Solutions.html) ### Moldura de Alumínio para Painel Solar — Anodizada, G1/M6/M10/M12 Moldura de alumínio para painel solar, anodizada e cortada para tamanhos de módulo G1/M6/M10/M12, com fornecimento completo de extrusão, corte e cantoneira em uma única linha. ![Vedante e Fita para Painel Solar — Silicone, Butil, Barramento](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032711586064.jpg.webp) - [** Rachael](./PV-Module-Sealant-Tape-Solutions-Essential-Components-for-Solar-Panel-Reliability.html) - [** 73219](./PV-Module-Sealant-Tape-Solutions-Essential-Components-for-Solar-Panel-Reliability.html) ### Vedante e Fita para Painel Solar — Silicone, Butil, Barramento Vedante e fita para painel solar para montagem de módulos: vedante de silicone para moldura, fita de butil e fita de isolamento de barramento, resistente a UV para exposição exterior de 25 anos. ![Laminadora BIPV automática de câmara dupla de camada única](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774438506273987.webp) - [** Rachael](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) - [** 63347](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) ### Laminadora BIPV automática de câmara dupla de camada única O laminador BIPV automático de câmara dupla de camada única Ooitech OTCY-2754DD apresenta áreas de laminação duplas de 2700x5400mm, aquecimento duplo superior e inferior ![Equipamento de Linha de Produção de Painéis Solares Totalmente Automática](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774401482439949.webp) - [** Rachael](./full-automatic-solar-panel-production-line-equipment-ooitech.html) - [** 98838](./full-automatic-solar-panel-production-line-equipment-ooitech.html) ### Equipamento de Linha de Produção de Painéis Solares Totalmente Automática A linha de produção totalmente automática de painéis solares da Ooitech abrange carregamento de vidro, aplicação de EVA, disposição de strings, aplicação de fita, laminação, corte, emolduramento ![Máquina de Corte e Layup Online de EVA/TPT GC-1500](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774350387657887.webp) - [** Rachael](./gc-1500-eva-tpt-online-cutting-and-laying-machine-automatic-solar-panel-eva-backsheet-cutter-ooitech.html) - [** 37542](./gc-1500-eva-tpt-online-cutting-and-laying-machine-automatic-solar-panel-eva-backsheet-cutter-ooitech.html) ### Máquina de Corte e Layup Online de EVA/TPT GC-1500 A Máquina de Corte e Layup Online de EVA/TPT GC-1500 da Ooitech apresenta corte e layup automáticos de EVA, POE e backsheet para produção de painéis solares ![Filme Encapsulante EVA: mais de 80 N/cm de aderência ao vidro](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774518543829873.webp) - [** ooitech](./EVA-POE-EPE-Encapsulant-Film-for-Solar-Panel-Manufacturing-Complete-Technical-Guide.html) - [** 89682](./EVA-POE-EPE-Encapsulant-Film-for-Solar-Panel-Manufacturing-Complete-Technical-Guide.html) ### Filme Encapsulante EVA: mais de 80 N/cm de aderência ao vidro Filme encapsulante EVA para módulos solares, além de opções POE e EPE: anti-PID, resistente a UV e compatível com linhas TOPCon e PERC, na sua espessura.